Puolijohteilla on kolme pääominaisuutta:
1. Lämpöherkkyysominaisuudet
Puolijohteiden ominaisvastus muuttuu merkittävästi lämpötilan mukaan. Esimerkiksi puhdas germanium, joka 10 asteen kosteuslisäys, sen sähköinen resistiivisyys laskee 1/2 alkuperäisestä arvostaan. Pienet lämpötilan muutokset voivat heijastua puolijohteiden ominaisvastuksen merkittävinä muutoksina. Puolijohteiden lämpöherkkyyttä hyödyntäen voidaan valmistaa lämpötilaa mittaavia elementtejä - termistoreja - käytettäväksi lämpötilan mittaus- ja ohjausjärjestelmissä.
On syytä huomata, että useilla puolijohdelaitteilla on lämpöherkkyys, joka vaikuttaa niiden vakauteen ympäristön lämpötilan muuttuessa.
2. Valoherkät ominaisuudet
Puolijohteiden ominaisvastus on erittäin herkkä valon muutoksille. Kun valaistu, sähkövastus on hyvin pieni; Kun valoa ei ole, sähkövastus on korkea. Esimerkiksi yleisesti käytetyn kadmiumsulfidivalovastuksen resistanssi on useita kymmeniä megaohmeja valon puuttuessa, kun se altistetaan valolle. Resistanssi putosi yhtäkkiä kymmeniin tuhansiin ohmeihin ja vastuksen arvo muuttui tuhansia kertoja. Puolijohteiden valoherkkiä ominaisuuksia hyödyntämällä tuotetaan erilaisia optoelektronisia laitteita, kuten valodiodeja, valotransistoreja ja piivalokennoja. Käytetään laajasti automaattiohjauksessa ja radiotekniikassa.
3. Dopingominaisuudet
Puhtaissa puolijohteissa erittäin pienten epäpuhtauselementtien seostus voi aiheuttaa merkittävän muutoksen niiden sähköisessä ominaisvastuksessa. Esimerkiksi. Doping puhdasta silikonia. Boorielementin ominaisvastus, joka on alle 214000 Ω· cm, laskee arvoon 0,4 Ω· cm, mikä tarkoittaa, että piin johtavuus kasvaa yli 500 000 kertaa. Ihmiset säätelevät tarkasti puolijohteiden johtavuutta dooppaamalla tiettyjä epäpuhtauselementtejä ja valmistavat erilaisia puolijohdelaitteita. Voidaan liioittelematta sanoa, että lähes kaikki puolijohdelaitteet on valmistettu tietyillä epäpuhtauksilla seostetuista puolijohdemateriaaleista.
